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可选取排胶与烧结一体炉结构，削减工序切换，提升处置效能，建设可调控的升温速度及排气量，确保排胶过程中有机物充分分化（如PVB树脂、DOP等），预防烧结分层或开裂
。设备温度覆盖1100℃—1300℃，可满足氮化铝基板、MLCC瓷体等资料的预烧及烧结需要，同时支持流延成型基板的一体化排胶烧结工艺
。合用于镍/铜电极资料的差距化温度设定以及磁性资料的高温预烧，优化资料机能，并支持氮化硅、介质陶瓷等职能性陶瓷的排胶、烧结工艺
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